Empreinte environnementale d’un composant de puissance GaN/Si - CultureSciences de l'Ingénieur

publié le 13 sep 2024 par Hélène HORSIN MOLINARO

Contributions des différents ateliers pour une plaque

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Description

Empreinte environnementale d’un composant de puissance GaN/Si

Cette ressource fait partie du N°113 de La Revue 3EI du 3^ième trimestre 2024.

Les composants de puissance à base de semiconducteurs à large bande interdite “Wide Band Gap (WBG)” sont intéressants pour augmenter l’efficacité énergétique des convertisseurs de puissance, par rapport aux composants conventionnels à base de silicium (Si). Alors que le potentiel gain en efficacité énergétique est connu, le coût énergétique et les autres impacts environnementaux à la fabrication restent peu documentés. En effet, à notre connaissance, il n’y a pas ou peu de données d’analyse de cycle de vie (ACV) disponibles pour les composants de puissance à base de nitrure de gallium (GaN ou GaN/Si) et carbure de silicium (SiC).

Dans cette ressource, nous présentons une analyse de cycle de vie du berceau à la porte pour un composant de puissance GaN/Si, permettant d’identifier les postes les plus impactants et de proposer des pistes d’éco-conception

Contenu de la ressource :

Résumé
Introduction
Inventaire sur cycle de vie
Conclusion

Fichiers et liens

Empreinte environnementale d’un composant de puissance GaN/Si

Contenus associés

La revue 3EI - N°113 - 3ième trimestre 2024 : Écoconception en Génie Électrique

Cette ressource propose les articles suivants : Éléments éco-conception en GE, ACV abaisseur tension DC-DC et piste d'écoconception, Recyclage Cartes Electroniques, Empreinte environnementale composant puissance GaN/Si, Adéquation véhicules faibles consommations énergétiques électriques

Ressource pédagogique

Cours / présentation